多項(xiàng)選擇題在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
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3.單項(xiàng)選擇題磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）
A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減
5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于拉單晶時(shí)進(jìn)行的縮頸步驟，下面的說法那種正確（）
A.可以多次縮頸
B.為了能拉出與籽晶相同的硅錠
C.為了終止籽晶中的線缺陷向晶錠的延伸
D.為了終止與籽晶結(jié)合處的缺陷向晶錠的延伸
最新試題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題