硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝對準誤差包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。