簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

簡述真空蒸鍍的原理。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。