CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應(yīng)，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動來實現(xiàn)。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。