簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

簡述真空蒸鍍的原理。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。