多項(xiàng)選擇題?CVD薄膜有哪些應(yīng)用？（）
A.鎢塞
B.鈍化層
C.層間介質(zhì)BPSG
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1.多項(xiàng)選擇題?CVD技術(shù)可以制備的薄膜有（）。
A.SiO2
B.單晶硅
C.BSG
D.Si3N4
2.多項(xiàng)選擇題?濺射方法從本質(zhì)上可分為（）。
A.反應(yīng)濺射
B.直流濺射
C.磁控濺射
D.射頻濺射
3.多項(xiàng)選擇題?集成電路制造技術(shù)中，薄膜制備技術(shù)主要包括兩大類（）。
A.薄膜生長(zhǎng)技術(shù)
B.薄膜淀積技術(shù)
C.薄膜外延技術(shù)
D.薄膜堆疊技術(shù)
4.單項(xiàng)選擇題與真空蒸發(fā)相比，濺射薄膜的臺(tái)階覆蓋性好，關(guān)鍵在于（）。
A.濺射工藝重復(fù)性好
B.濺射角度大
C.濺射工藝復(fù)雜
D.濺射原子遷移能力強(qiáng)
5.單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)的局限性的是（）。
A.生長(zhǎng)機(jī)理簡(jiǎn)單
B.工藝重復(fù)性
C.臺(tái)階覆蓋能力差
D.薄膜與襯底附著力小
最新試題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來(lái)到大眾視線
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
電子封裝是指對(duì)電路芯片進(jìn)行包裝，進(jìn)而保護(hù)電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型：判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型：判斷題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題