多項(xiàng)選擇題?CVD技術(shù)可以制備的薄膜有()。
A.SiO2
B.單晶硅
C.BSG
D.Si3N4
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1.多項(xiàng)選擇題?濺射方法從本質(zhì)上可分為()。
A.反應(yīng)濺射
B.直流濺射
C.磁控濺射
D.射頻濺射
2.多項(xiàng)選擇題?集成電路制造技術(shù)中,薄膜制備技術(shù)主要包括兩大類()。
A.薄膜生長(zhǎng)技術(shù)
B.薄膜淀積技術(shù)
C.薄膜外延技術(shù)
D.薄膜堆疊技術(shù)
3.單項(xiàng)選擇題與真空蒸發(fā)相比,濺射薄膜的臺(tái)階覆蓋性好,關(guān)鍵在于()。
A.濺射工藝重復(fù)性好
B.濺射角度大
C.濺射工藝復(fù)雜
D.濺射原子遷移能力強(qiáng)
4.單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)的局限性的是()。
A.生長(zhǎng)機(jī)理簡(jiǎn)單
B.工藝重復(fù)性
C.臺(tái)階覆蓋能力差
D.薄膜與襯底附著力小
5.單項(xiàng)選擇題以下不屬于電子束加熱的優(yōu)點(diǎn)的是()。
A.蒸發(fā)溫度高
B.工藝設(shè)備簡(jiǎn)單
C.熱效率高
D.高純度淀積
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去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
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下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
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