光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。

反應(yīng)氣體或生成物通過(guò)邊界層，是以擴(kuò)散的方式來(lái)進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力，則是來(lái)自于氣體分子局部的濃度梯度。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動(dòng)，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來(lái)增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

利用熱電偶的電勢(shì)與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來(lái)測(cè)量真空度的真空計(jì)。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。