進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。