多項選擇題增加去耦電容可以抑制Ldi/dt效應(yīng)，那么芯片內(nèi)部去耦電容正確的放置方式是（）。
A.在芯片當中的任一位置上放置一個電容
B.靠近大的驅(qū)動器的地方應(yīng)該放置去耦電容
C.電源線下方應(yīng)該放置去耦電容
D.盡量遠離要穩(wěn)定的電源電壓的電路
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1.單項選擇題芯片中通常把電源線和地線布線成縱橫交錯的網(wǎng)格狀，以降低IR drop，其原理是（）。
A.可以減小各處電路的電源/地線上的寄生電阻
B.可以減小流過電源/地線上的電流
C.可以使得芯片各處的電源/地線上的寄生電阻相等
D.增大導線的對地電容，濾除電壓的波動
2.多項選擇題下列情形中會使得存在電容串擾時受害信號線受到更大干擾的是（）。
A.耦合電容更大
B.干擾信號擺幅大
C.受害信號線是低阻抗節(jié)點（被低的驅(qū)動電阻驅(qū)動）
D.干擾信號翻轉(zhuǎn)速度快
3.單項選擇題信號經(jīng)過長導線的傳播延時和導線長度的（）次方成正比。
A.1
B.2
C.3
D.0
4.單項選擇題當導線延時超過邏輯門延時，信號翻轉(zhuǎn)時間也比導線延時短是，應(yīng)該采用下面哪種延時模型？（）
A.集總電容模型
B.分布rc模型
C.集總RC模型
D.看作理想導線
5.多項選擇題數(shù)字集成電路中的寄生電感的影響主要考慮（）線上的寄生。
A.電源
B.地
C.時鐘
D.數(shù)據(jù)信號
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為了獲得好的性能，塑封料的電學性必須得到控制。
題型：判斷題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
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AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項選擇題
下面關(guān)于BGA的特點，說法錯誤的是（）。
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制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
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下面不屬于QFP封裝改進品質(zhì)的是（）。
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下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點，說法正確的是（）。
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題型：判斷題