單項(xiàng)選擇題集成電路制造過程中，把版圖轉(zhuǎn)移到晶圓的過程叫（）。
A.設(shè)計(jì)規(guī)則
B.封裝
C.光刻
D.測(cè)試
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題通常講的28nm工藝，是指（）。
A.wafer的直徑
B.管芯的大小
C.晶體管的面積
D.晶體管溝道長度
2.單項(xiàng)選擇題下列電路實(shí)現(xiàn)形式中，哪一種是無比邏輯？（）
A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
3.單項(xiàng)選擇題下列表達(dá)式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價(jià)的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=?。ǎˋ·B）·（C+D））
4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于硅基CMOS電路，一個(gè)2輸入或非門的邏輯努力是（）。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
5.單項(xiàng)選擇題
下圖所示電路屬于（）負(fù)反饋放大電路。
A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
B.電流串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋
最新試題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題