材料物理性能章節(jié)練習(xí)(2020.01.05)

來源：考試資料網(wǎng)

1 測量硅中氧濃度常用的方法是（）.

2.問答題什么是聲子態(tài)密度？

參考答案：聲子態(tài)密度是單位體積單位頻率間隔區(qū)間的格波振動(dòng)模式數(shù)目。

3.問答題簡述形狀各向異性、退磁場強(qiáng)度、退磁因子、退磁能和它們的關(guān)系。如何降低體系的退磁能？

4.問答題融熔石英玻璃的性能參數(shù)為：E=73Gpa；γ=1.56J/m²；理論強(qiáng)度σth=28Gpa。如材料中存在最大長度為2μm的內(nèi)裂，且此內(nèi)裂垂直于作用力方向，計(jì)算由此導(dǎo)致的強(qiáng)度折減系數(shù)。

5.問答題簡述m*的影響因素

參考答案：晶格缺陷、溫度、材料性質(zhì)

6.問答題薄膜的組織（晶態(tài)）結(jié)構(gòu)有幾種形態(tài)？各有什么特點(diǎn)？

參考答案：晶態(tài)結(jié)構(gòu)有無定形、多晶、織構(gòu)、單晶等幾種形態(tài)。
無定形（非晶態(tài)）：降低基體溫度可降低吸附原子的表面擴(kuò)散速率，有...

7.問答題光刻和刻蝕的目的是什么？

參考答案：光刻的目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上，而刻蝕的目的是在硅片上無光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。即將圖形轉(zhuǎn)...

8 以擴(kuò)散傳質(zhì)為主的燒結(jié)中，到燒結(jié)后期時(shí)，收縮達(dá)（）

9.問答題從能帶結(jié)構(gòu)特點(diǎn)比較Si和GaAs在應(yīng)用上的不同。

10.問答題對于金屬Al計(jì)算在什么溫度下晶格比熱和電子比熱相等？

參考答案：低溫下由德拜理論晶格比熱為
電子比熱為
其中n₁為晶體的原子濃度，n_...