半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2020.04.17)

問答題
已知n溝道MOSFET的溝道長(zhǎng)度L=10μm，溝道寬度W=400μm，柵氧化層厚度tax=150nm，閾值電壓VT=3V，襯底雜質(zhì)濃度NA=9×1014cm-3，求柵極電壓等于7V時(shí)的漏源飽和電流。在此條件下，VDS等于幾伏時(shí)漏端溝道開始夾斷？計(jì)算中取μn=600cm2/（V·s）。
答案：
單項(xiàng)選擇題
硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.
A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型
問答題
為什么晶體管柵結(jié)構(gòu)的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長(zhǎng)會(huì)引發(fā)什么問題？
答案：因?yàn)樗俗畋〉臇叛趸瘜拥臒嵘L(zhǎng)以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個(gè)集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。多晶硅柵的寬度...
問答題
例舉出兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料。
答案：
兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料是塑料封裝和陶瓷封裝。
名詞解釋
ALE
答案：原子層外延，是向襯底交替單獨(dú)供給半導(dǎo)體組成元素的源，使各組成元素以單原子層在襯底上進(jìn)行一層一層地生長(zhǎng)一層分子層。
問答題
解釋投射電子能顯微鏡。
答案：TEM把加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的電子碰撞而電子與樣品中的原子的碰撞而改變方向，從而產(chǎn)生立體...
名詞解釋
內(nèi)建電場(chǎng)
答案：由于N型半導(dǎo)體中有富裕的自由電子，而P型半導(dǎo)體中有富裕的自由的空穴，所以當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，P型半導(dǎo)體中的空穴就會(huì)...
問答題
簡(jiǎn)述光圖定向的基本原理。
答案：當(dāng)平行光入射到處理后的硅單晶上，形成反射再次反射光路上放置一光屏，先出晶體的光像。根據(jù)晶體反射光像的對(duì)稱性以及光圖中心的...
名詞解釋
泵浦（激勵(lì)）
答案：
閃光燈或另一種激光器以及氣體放電激勵(lì)、化學(xué)激勵(lì)、核能激勵(lì)。
名詞解釋
本征空穴
答案：
在純硅中由于+3價(jià)的銦或鋁的原子周圍有3個(gè)價(jià)電子，與同價(jià)硅原子組成共價(jià)結(jié)會(huì)少一個(gè)電子，形成空穴。