集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2020.06.02)

離子沿溝道前進(jìn)，核阻擋作用小，因而射程比非晶靶遠(yuǎn)得多，這種現(xiàn)象叫溝道效應(yīng)。

擴(kuò)散開始時(shí)，表面放入一定量的雜質(zhì)源，而在以后的擴(kuò)散過程中不再有雜質(zhì)加入，此種擴(kuò)散稱為有限源擴(kuò)散。