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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.23)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述常規(guī)熱氧化辦法制備SiO₂介質(zhì)薄膜的動力學(xué)過程，并說明在什么情況下氧化過程由反應(yīng)控制或擴散控制。

參考答案：迪爾-格羅夫氧化模型可以很好地預(yù)測氧化層厚度，熱氧化過程主要分為以下三個過程：（1）氧化劑從氣體內(nèi)部以擴散形式穿過滯留層...

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2.問答題 采用CF₄作為氣體源對SiO₂進行刻蝕，在進氣中分別加入O₂或H₂對刻蝕速率有什么影響？隨著O₂或H₂進氣量的增加，對Si和SiO₂刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

參考答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO₂的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO₂

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3.問答題簡述RTP設(shè)備的工作原理，相對于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢？

參考答案：RTP工藝是一類單片熱處理工藝，其目的是通過縮短熱處理時間和溫度或只縮短熱處理時間來獲得最小的工藝熱預(yù)算（Thermal...

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4.問答題說明影響氧化速率的因素。

參考答案：1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D

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5.問答題熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關(guān)？淀積速率的測量采用什么辦法？

參考答案：簡述其工作原理。淀積速率與蒸發(fā)材料溫度腔體形狀等因素有關(guān)。淀積速率通常用石英晶體速率指示儀測量。所用器件為一個諧振板，它...

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