試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

設(shè)計(jì)一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？