高壓高溫合成法目的是尋求經卸壓降溫后的高壓高溫合成產物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

溫度的高低不必用數字來說明，溫標是溫度的數值表示方法。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

低壓下從石墨轉變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。