當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。