三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。