單項(xiàng)選擇題對(duì)試件內(nèi)磁場(chǎng)的磁通密度具有最大影響的管狀產(chǎn)品的參數(shù)是(假定磁化力H不變)().

A.產(chǎn)品的表面粗糙度;
B.產(chǎn)品的直徑;
C.產(chǎn)品的壁厚;
D.產(chǎn)品的長(zhǎng)度


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1.單項(xiàng)選擇題為了保證可靠地檢出缺陷,管材通過(guò)圍繞線圈的最大速度必須加以限制。速度的極限取決于().

A.線圈長(zhǎng)度;
B.要求達(dá)到的缺陷尺寸分辯力;
C.試驗(yàn)頻率;
D.以上都是.

2.單項(xiàng)選擇題在穿過(guò)式圍繞線圈渦流系統(tǒng)中,轉(zhuǎn)動(dòng)試樣,使試樣上的缺陷處在不同位置(如上、下、左、右)的目的是什么?()

A.為了檢查相位選擇性;
B.為了保證材料位于試驗(yàn)線圈中心;
C.為了選擇調(diào)制分析的調(diào)節(jié)值;
D.為了選擇正確的試驗(yàn)速度

3.單項(xiàng)選擇題下面哪一條不是試驗(yàn)環(huán)境對(duì)試驗(yàn)線圈造成的不良影響?()

A.溫度變化;
B.試樣中的裂紋;
C.試驗(yàn)物體與試驗(yàn)線圈接觸;
D.試驗(yàn)線圈磁場(chǎng)中的外來(lái)物體;
E.試驗(yàn)線圈振動(dòng).

4.單項(xiàng)選擇題提離肯定會(huì)使漏磁通信號(hào)的振幅減小。它對(duì)信號(hào)的其它重要影響是().

A.相位變化;
B.頻率變化;
C.增大提離會(huì)使缺陷視在寬度減??;
D.以上都不是.

最新試題

為了提高射線照相對(duì)比度,可以采用高電壓、短時(shí)間、大管電流的方式曝光。

題型:判斷題

產(chǎn)品焊接接頭最終質(zhì)量經(jīng)X射線檢驗(yàn)合格后不得再實(shí)施影響接頭性能的加工(如校形、修刮、重熔等),否則應(yīng)重新申請(qǐng)進(jìn)行X射線檢測(cè)。

題型:判斷題

焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。

題型:判斷題

一次完整的補(bǔ)焊過(guò)程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。

題型:判斷題

下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在射線照相檢驗(yàn)中,隨著射線能量的提高,得到的圖像不清晰度也將增大。

題型:判斷題

檢測(cè)申請(qǐng)時(shí)工序狀態(tài)應(yīng)清楚、工序質(zhì)量應(yīng)符合工序質(zhì)量要求,檢驗(yàn)蓋章確認(rèn),確保焊接、檢驗(yàn)、檢測(cè)等全過(guò)程具有可追溯性。

題型:判斷題

對(duì)于厚度變化較大的變截面工件透照,只要底片黑度符合GJB1187A的要求時(shí),就可采用多膠片技術(shù)。

題型:判斷題

射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是(),必須嚴(yán)加控制。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題