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填空題（）和（）是半導(dǎo)體的主要載流子，N型半導(dǎo)體中（）濃度高于（）濃度，而 P型半導(dǎo)體中（）濃度高于電子濃度，（）半導(dǎo)體中的兩種載流子濃度相等。

1.填空題半導(dǎo)體晶體的晶胞具有（）對(duì)稱(chēng)性， Si、Ge 、GaAs 晶體為（）結(jié)構(gòu)。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。

2.填空題半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）

3.填空題集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）

4.填空題摩爾定律的主要內(nèi)容是（）。

5.填空題（）和（）是半導(dǎo)體器件的最常用摻雜方法。（）、（）是Si常用的施主雜質(zhì)；（）是Si常用的受主雜質(zhì)；（）是GaAs常用的P型摻雜劑；（）是GaAs常用的N型摻雜劑。