溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標是溫度的數(shù)值表示方法。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

簡述真空蒸鍍的原理。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

光學高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。