單項(xiàng)選擇題對摩爾定律描述不正確的是()。
A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番
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1.單項(xiàng)選擇題因?yàn)殡x子注入所引起的簡單或復(fù)雜的缺陷統(tǒng)稱為()。?
A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷
2.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散源的不同,有三種不同擴(kuò)散工藝,以下不是的是()。?
A.固態(tài)源擴(kuò)散
B.液態(tài)源擴(kuò)散
C.替位式擴(kuò)散
D.氣態(tài)源擴(kuò)散
3.單項(xiàng)選擇題兩步工藝分為預(yù)淀積(預(yù)擴(kuò)散)、再分布(主擴(kuò)散)兩步,預(yù)淀積是惰性氣氛下的()。?
A.恒定源擴(kuò)散
B.有限源擴(kuò)散
C.間隙式擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
4.單項(xiàng)選擇題以下不是擴(kuò)散工藝的重要參數(shù)是()。?
A.表面濃度
B.雜質(zhì)類型
C.結(jié)深
D.摻入雜質(zhì)總量
5.單項(xiàng)選擇題固相擴(kuò)散是通過微觀粒子一系列隨機(jī)跳躍來實(shí)現(xiàn)的,主要有三種方式。如下不是固相擴(kuò)散方式的是()。?
A.間隙式擴(kuò)散
B.替位式擴(kuò)散
C.熱運(yùn)動
D.間隙—替位式擴(kuò)散
最新試題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
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使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
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WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
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塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用()方法。
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下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
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鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
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常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
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鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來到大眾視線
題型:單項(xiàng)選擇題