單項選擇題兩步工藝分為預(yù)淀積（預(yù)擴(kuò)散）、再分布（主擴(kuò)散）兩步，預(yù)淀積是惰性氣氛下的（）。?
A.恒定源擴(kuò)散
B.有限源擴(kuò)散
C.間隙式擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
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1.單項選擇題以下不是擴(kuò)散工藝的重要參數(shù)是（）。?
A.表面濃度
B.雜質(zhì)類型
C.結(jié)深
D.摻入雜質(zhì)總量
2.單項選擇題固相擴(kuò)散是通過微觀粒子一系列隨機(jī)跳躍來實現(xiàn)的，主要有三種方式。如下不是固相擴(kuò)散方式的是（）。?
A.間隙式擴(kuò)散
B.替位式擴(kuò)散
C.熱運(yùn)動
D.間隙—替位式擴(kuò)散
3.單項選擇題通過定域、定量擴(kuò)散摻雜，不能實現(xiàn)的目的是（）。?
A.改變半導(dǎo)體導(dǎo)電類型
B.改變電阻率
C.形成PN結(jié)
D.形成隔離
4.單項選擇題集成電路版圖設(shè)計中不是MOS管的可變參數(shù)是（）。?
A.柵長（gate_length）
B.氧化層厚度
C.柵寬（gate_width）
D.柵指數(shù)（gates）
5.單項選擇題集成電路版圖設(shè)計規(guī)則（Design Rules）沒有提供的規(guī)則是（）。
A.各層的最小寬度
B.層與層之間的最小間距
C.摻雜濃度
D.層與層之間的最小交疊
最新試題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
因為QFP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項選擇題
載帶自動焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型：判斷題
電子封裝是指對電路芯片進(jìn)行包裝，進(jìn)而保護(hù)電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型：判斷題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題