單項(xiàng)選擇題以下不是擴(kuò)散工藝的重要參數(shù)是（）。?
A.表面濃度
B.雜質(zhì)類型
C.結(jié)深
D.摻入雜質(zhì)總量
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1.單項(xiàng)選擇題固相擴(kuò)散是通過(guò)微觀粒子一系列隨機(jī)跳躍來(lái)實(shí)現(xiàn)的，主要有三種方式。如下不是固相擴(kuò)散方式的是（）。?
A.間隙式擴(kuò)散
B.替位式擴(kuò)散
C.熱運(yùn)動(dòng)
D.間隙—替位式擴(kuò)散
2.單項(xiàng)選擇題通過(guò)定域、定量擴(kuò)散摻雜，不能實(shí)現(xiàn)的目的是（）。?
A.改變半導(dǎo)體導(dǎo)電類型
B.改變電阻率
C.形成PN結(jié)
D.形成隔離
3.單項(xiàng)選擇題集成電路版圖設(shè)計(jì)中不是MOS管的可變參數(shù)是（）。?
A.柵長(zhǎng)（gate_length）
B.氧化層厚度
C.柵寬（gate_width）
D.柵指數(shù)（gates）
4.單項(xiàng)選擇題集成電路版圖設(shè)計(jì)規(guī)則（Design Rules）沒(méi)有提供的規(guī)則是（）。
A.各層的最小寬度
B.層與層之間的最小間距
C.摻雜濃度
D.層與層之間的最小交疊
5.單項(xiàng)選擇題集成電路版圖設(shè)計(jì)規(guī)則（Design Rules）文件是由（）制定提供的。?
A.Foundry（集成電路制造公司）
B.集成電路設(shè)計(jì)公司
C.集成電路測(cè)試公司
D.集成電路封裝公司
最新試題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型：判斷題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來(lái)到大眾視線
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題