簡述真空蒸鍍的原理。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。