在電離真空計(jì)中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來(lái)增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。

化學(xué)氣相沉積乃是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵(lì)或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

渦流擴(kuò)散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過(guò)渦流流體的傳遞過(guò)程。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動(dòng)。

紅外輻射溫度計(jì)測(cè)量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

強(qiáng)制對(duì)流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個(gè)典型的反自發(fā)方向進(jìn)行的反應(yīng)，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。