化學氣相沉積乃是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內(nèi)使氣態(tài)的化學物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學反應形成固態(tài)沉積物的技術。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

光學高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。