空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

簡述真空蒸鍍的原理。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。