NMOS和PMOS
柵長、柵寬、柵指數(shù)
對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域
雙極型(BJT)集成電路,單極型(MOS)集成電路,Bi-CMOS型集成電路。
40GHz
單位面積芯片上所能容納的器件數(shù)量,每12-18個月翻一番。
刻蝕即光刻腐蝕,就是通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其他方式實現(xiàn)腐蝕以處理掉所需除去的部分。
切片決定了硅片的四個重要參數(shù):晶向、厚度、斜度、翹度和平行度。