集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.02.13)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)參考答案：
NMOS和PMOS
2.問(wèn)答題MOS管是圖元之一，它的可變參數(shù)有哪些？
參考答案：
柵長(zhǎng)、柵寬、柵指數(shù)
3.問(wèn)答題為什么說(shuō)柵長(zhǎng)是MESFET的重要參數(shù)？
參考答案：
對(duì)MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域
參考答案：（1）常壓化學(xué)氣相淀積，這種工藝所需的系統(tǒng)簡(jiǎn)單，反應(yīng)速度快，并特別適于介質(zhì)淀積，但是它的缺點(diǎn)是均勻性較差，氣體消耗量大，...
5.問(wèn)答題按照器件類(lèi)型分，半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類(lèi)？
參考答案：
雙極型（BJT）集成電路，單極型（MOS）集成電路，Bi-CMOS型集成電路。
6.問(wèn)答題超高頻Si雙極型晶體管的截止頻率fT已達(dá)多少？
參考答案：
40GHz
參考答案：區(qū)別：手工設(shè)計(jì)集成電路或單元中，幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是圖形編輯的依據(jù)，電學(xué)設(shè)計(jì)規(guī)則是分析計(jì)算的依據(jù)。VLSI設(shè)計(jì)中，幾何設(shè)計(jì)規(guī)則...
8.問(wèn)答題摩爾定律的內(nèi)容是什么？
參考答案：
單位面積芯片上所能容納的器件數(shù)量，每12-18個(gè)月翻一番。
9.問(wèn)答題什么是刻蝕？
參考答案：
刻蝕即光刻腐蝕，就是通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其他方式實(shí)現(xiàn)腐蝕以處理掉所需除去的部分。
10.問(wèn)答題切片可決定晶片的哪四個(gè)參數(shù)？
參考答案：
切片決定了硅片的四個(gè)重要參數(shù)：晶向、厚度、斜度、翹度和平行度。
