微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.08.21)

問(wèn)答題
光刻膠厚度隨什么變化？
答案：粘度越高轉(zhuǎn)速越低，光刻膠就越厚
問(wèn)答題
什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量？
答案：等離子是一種中性，高能量，離子化的氣體，包含中性原子或分子，帶電離子和自由電子。
RF能量的使用可以產(chǎn)生一個(gè)高...
問(wèn)答題
負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。
答案：在顯影時(shí)曝光區(qū)域由溶劑引起的泡脹；曝光時(shí)光刻膠可與氮?dú)夥磻?yīng)從而抑制其交聯(lián) 。
名詞解釋
平均自由程
答案：粒子和粒子碰撞前能夠移動(dòng)的平均距離。
問(wèn)答題
干法刻蝕是如何分類和定義的？
答案：
問(wèn)答題
光刻技術(shù)中的常見(jiàn)問(wèn)題有那些？
答案：半導(dǎo)體器件和集成電路的制造對(duì)光刻質(zhì)量有如下要求：
一是刻蝕的圖形完整，尺寸準(zhǔn)確，邊緣整齊陡直；
二是...
名詞解釋
擴(kuò)散法（diffusion）
答案：
是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐中，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)的一種方法。
問(wèn)答題
寫出計(jì)算焦深的公試。
答案：DOF=入/（2*NA）²
問(wèn)答題
什么是光刻，光刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)有那些？
答案：光刻（photolithography）就是將掩模版（光刻版）上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的對(duì)光輻照敏感薄膜材...
填空題
勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（）。
答案：微分；大；小

首頁(yè)

題庫(kù)

網(wǎng)課

在線?？?/h3>

桌面端

微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.08.21)

光刻膠厚度隨什么變化？

什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量？

負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。

平均自由程

干法刻蝕是如何分類和定義的？

光刻技術(shù)中的常見(jiàn)問(wèn)題有那些？

擴(kuò)散法（diffusion）

寫出計(jì)算焦深的公試。

什么是光刻，光刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)有那些？

勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（）。

微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.08.21)

光刻膠厚度隨什么變化？

什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量？

負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。

平均自由程

干法刻蝕是如何分類和定義的？

光刻技術(shù)中的常見(jiàn)問(wèn)題有那些？

擴(kuò)散法（diffusion）

寫出計(jì)算焦深的公試。

什么是光刻，光刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)有那些？

勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（）。

光刻膠厚度隨什么變化？

什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量？

負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。

干法刻蝕是如何分類和定義的？

光刻技術(shù)中的常見(jiàn)問(wèn)題有那些？

寫出計(jì)算焦深的公試。

什么是光刻，光刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)有那些？

勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（）。