單項選擇題在NMOS中，若VSB大于0，會使閾值電壓（）。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
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1.單項選擇題
下圖中的MOS管工作在（）區(qū)（假定Vth=0.7V）。
A.截止區(qū)
B.深三極管區(qū)
C.三極管區(qū)
D.飽和區(qū)
2.單項選擇題集成電路代工產(chǎn)業(yè)的締造者是（）。?
A.基爾比
B.摩爾
C.張忠謀
D.胡正明
3.單項選擇題FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件的發(fā)明人是：（）。?
A.基爾比
B.摩爾
C.張忠謀
D.胡正明
4.單項選擇題（）年發(fā)明了世界上第一個點接觸型晶體管。?
A.1947
B.1948
C.1957
D.1958
5.單項選擇題單個芯片上集成約50萬個器件，按照規(guī)模劃分，該芯片為：（）。?
A.LSI
B.VLSI
C.ULSI
D.SoC
最新試題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強，（）再次來到大眾視線
題型：單項選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進行有效的切除。
題型：判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題