多項選擇題CVD淀積SiO2薄膜過程中主要涉及的運動有哪些？（）
A.漂移運動
B.反應運動
C.擴散運動
D.加接運動
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題CVD基本過程包括（）。
A.在表面進行化學反應，在表面淀積成薄膜
B.副產物脫離吸附
C.脫吸副產物逸出反應室
D.反應劑傳輸至襯底表面，反應劑吸附在表面
2.多項選擇題?CVD薄膜有哪些應用？（）
A.鎢塞
B.鈍化層
C.層間介質BPSG
3.多項選擇題?CVD技術可以制備的薄膜有（）。
A.SiO2
B.單晶硅
C.BSG
D.Si3N4
4.多項選擇題?濺射方法從本質上可分為（）。
A.反應濺射
B.直流濺射
C.磁控濺射
D.射頻濺射
5.多項選擇題?集成電路制造技術中，薄膜制備技術主要包括兩大類（）。
A.薄膜生長技術
B.薄膜淀積技術
C.薄膜外延技術
D.薄膜堆疊技術
最新試題
因為QFP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題
下面關于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。
題型：判斷題
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
題型：單項選擇題
凸點的制作技術有（）。
題型：多項選擇題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導致熱應力疲勞。
題型：判斷題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：單項選擇題
下列關于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點，說法正確的是（）。
題型：多項選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應用的關鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點尾絲不一致，可能產生的原因有（）。
題型：多項選擇題