單項選擇題擴散的微觀機制包括間隙式擴散和（）。
A.面擴散
B.均勻擴散
C.梯度擴散
D.替位式擴散
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1.多項選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應(yīng)用？（）
A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層
2.單項選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好？（）
A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學(xué)氣相淀積
3.單項選擇題
直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是（）。
A.引晶（下種）
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長
A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC
4.多項選擇題硅片制備最先進的拋光工藝是（）。
A.化學(xué)拋光
B.機械拋光
C.化學(xué)機械拋光
D.CMP
5.多項選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級多晶硅的純度是（）。
A.分析純
B.化學(xué)純
C.99.9999999%
D.9個N
最新試題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強，（）再次來到大眾視線
題型：單項選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點，說法正確的是（）。
題型：多項選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項選擇題