單項選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好？（）
A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學氣相淀積
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1.單項選擇題
直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是（）。
A.引晶（下種）
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長
A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC
2.多項選擇題硅片制備最先進的拋光工藝是（）。
A.化學拋光
B.機械拋光
C.化學機械拋光
D.CMP
3.多項選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級多晶硅的純度是（）。
A.分析純
B.化學純
C.99.9999999%
D.9個N
4.多項選擇題相對于其他半導體，硅半導體的重要性體現(xiàn)在（）。
A.工藝最先進
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大
5.多項選擇題對第一只晶體管描述正確的是（）。
A.是1947年Bell實驗室發(fā)明的
B.是Ge（鍺）晶體管
C.是Si（硅）晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的
最新試題
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
題型：單項選擇題
下面關(guān)于BGA的特點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強，（）再次來到大眾視線
題型：單項選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學性必須得到控制。
題型：判斷題