多項選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級多晶硅的純度是()。
A.分析純
B.化學(xué)純
C.99.9999999%
D.9個N
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1.多項選擇題相對于其他半導(dǎo)體,硅半導(dǎo)體的重要性體現(xiàn)在()。
A.工藝最先進
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大
2.多項選擇題對第一只晶體管描述正確的是()。
A.是1947年Bell實驗室發(fā)明的
B.是Ge(鍺)晶體管
C.是Si(硅)晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的
3.單項選擇題對摩爾定律描述不正確的是()。
A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番
4.單項選擇題因為離子注入所引起的簡單或復(fù)雜的缺陷統(tǒng)稱為()。?
A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷
5.單項選擇題根據(jù)擴散源的不同,有三種不同擴散工藝,以下不是的是()。?
A.固態(tài)源擴散
B.液態(tài)源擴散
C.替位式擴散
D.氣態(tài)源擴散
最新試題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進行有效的切除。
題型:判斷題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項選擇題
下面關(guān)于BGA的特點,說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。
題型:判斷題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項選擇題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項選擇題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
以下不屬于打碼目的的是()。
題型:單項選擇題