多項選擇題對第一只晶體管描述正確的是()。
A.是1947年Bell實驗室發(fā)明的
B.是Ge(鍺)晶體管
C.是Si(硅)晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的
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1.單項選擇題對摩爾定律描述不正確的是()。
A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番
2.單項選擇題因為離子注入所引起的簡單或復雜的缺陷統(tǒng)稱為()。?
A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷
3.單項選擇題根據(jù)擴散源的不同,有三種不同擴散工藝,以下不是的是()。?
A.固態(tài)源擴散
B.液態(tài)源擴散
C.替位式擴散
D.氣態(tài)源擴散
4.單項選擇題兩步工藝分為預淀積(預擴散)、再分布(主擴散)兩步,預淀積是惰性氣氛下的()。?
A.恒定源擴散
B.有限源擴散
C.間隙式擴散
D.替位式擴散
5.單項選擇題以下不是擴散工藝的重要參數(shù)是()。?
A.表面濃度
B.雜質類型
C.結深
D.摻入雜質總量
最新試題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項選擇題
下面關于BGA的特點,說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
WLCSP技術最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
下列對焊接可靠性無影響的是()。
題型:單項選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應用的關鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項選擇題
在近十年由于材料和設備的發(fā)展,同時伴隨電子產品功能的日益增強,()再次來到大眾視線
題型:單項選擇題
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題型:判斷題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:單項選擇題