多項選擇題相對于其他半導體,硅半導體的重要性體現(xiàn)在()。
A.工藝最先進
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大
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1.多項選擇題對第一只晶體管描述正確的是()。
A.是1947年Bell實驗室發(fā)明的
B.是Ge(鍺)晶體管
C.是Si(硅)晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的
2.單項選擇題對摩爾定律描述不正確的是()。
A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番
3.單項選擇題因為離子注入所引起的簡單或復雜的缺陷統(tǒng)稱為()。?
A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷
4.單項選擇題根據(jù)擴散源的不同,有三種不同擴散工藝,以下不是的是()。?
A.固態(tài)源擴散
B.液態(tài)源擴散
C.替位式擴散
D.氣態(tài)源擴散
5.單項選擇題兩步工藝分為預淀積(預擴散)、再分布(主擴散)兩步,預淀積是惰性氣氛下的()。?
A.恒定源擴散
B.有限源擴散
C.間隙式擴散
D.替位式擴散
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WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型:判斷題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點,說法正確的是()。
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鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
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為了獲得好的性能,塑封料的電學性必須得到控制。
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關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯誤的是()。
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通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:單項選擇題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
題型:多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項選擇題