單項選擇題

直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是（）。
A.引晶（下種）
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長

A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC


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1.多項選擇題硅片制備最先進的拋光工藝是（）。

A.化學拋光
B.機械拋光
C.化學機械拋光
D.CMP

2.多項選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級多晶硅的純度是（）。

A.分析純
B.化學純
C.99.9999999%
D.9個N

3.多項選擇題相對于其他半導體，硅半導體的重要性體現(xiàn)在（）。

A.工藝最先進
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大

4.多項選擇題對第一只晶體管描述正確的是（）。

A.是1947年Bell實驗室發(fā)明的
B.是Ge（鍺）晶體管
C.是Si（硅）晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的

5.單項選擇題對摩爾定律描述不正確的是（）。

A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番