多項(xiàng)選擇題硅片制備最先進(jìn)的拋光工藝是（）。

A.化學(xué)拋光
B.機(jī)械拋光
C.化學(xué)機(jī)械拋光
D.CMP


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級(jí)多晶硅的純度是（）。

A.分析純
B.化學(xué)純
C.99.9999999%
D.9個(gè)N

2.多項(xiàng)選擇題相對(duì)于其他半導(dǎo)體，硅半導(dǎo)體的重要性體現(xiàn)在（）。

A.工藝最先進(jìn)
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大

3.多項(xiàng)選擇題對(duì)第一只晶體管描述正確的是（）。

A.是1947年Bell實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的
B.是Ge（鍺）晶體管
C.是Si（硅）晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)摩爾定律描述不正確的是（）。

A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番

5.單項(xiàng)選擇題因?yàn)殡x子注入所引起的簡(jiǎn)單或復(fù)雜的缺陷統(tǒng)稱(chēng)為（）。?

A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷