多項選擇題實現(xiàn)CVD工藝保形覆蓋的關(guān)鍵因素有（）。
A.表面遷移
B.直接入射
C.再發(fā)射
D.到達(dá)角
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1.多項選擇題CVD制備SiO2的方法有（）。
A.中溫LPCVD
B.低溫APCVD
C.低溫PECVD
D.低溫LPCVD
2.多項選擇題金屬W（鎢）的用途有（）。
A.局部互連
B.全局互連
C.鎢插塞
D.柵極
3.多項選擇題下列屬于多晶硅薄膜的特性有（）。
A.擴(kuò)散系數(shù)明顯高于單晶硅
B.晶粒尺寸大的薄膜電阻率小
C.晶向唯一
D.電阻率遠(yuǎn)高于單晶硅
4.多項選擇題?LPCVD系統(tǒng)與PECVD系統(tǒng)相比，它們的相同點有（）。
A.產(chǎn)量低
B.可淀積Si3N4等
C.臺階覆蓋好
D.反應(yīng)控制
5.多項選擇題?APCVD系統(tǒng)的缺點有（）。?
A.均勻性差
B.易發(fā)生氣相反應(yīng)
C.臺階覆蓋
D.高溫工藝
最新試題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：單項選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
凸點的制作技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。
題型：判斷題
根據(jù)焊點的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項選擇題