簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應(yīng)，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動來實現(xiàn)。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。