表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

化學氣相沉積乃是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內(nèi)使氣態(tài)的化學物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學反應形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。