人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

活性炭對物質的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。

簡述雜質對擴散的影響。