MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

高壓高溫合成法目的是尋求經卸壓降溫后的高壓高溫合成產物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

活性炭對物質的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

簡述真空蒸鍍的原理。