渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

簡述真空蒸鍍的原理。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質濃度是不均勻的。