吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。