高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

光學(xué)高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。

簡述雜質(zhì)對擴(kuò)散的影響。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

化學(xué)氣相沉積乃是通過化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。