光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。