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半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.05.12)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

參考答案：

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2 下列材料屬于N型半導體是（）。

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3.填空題芯片焊接質(zhì)量通常進行鏡檢和（）兩項試驗。

參考答案：剪切強度

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4.判斷題厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。（）

參考答案：正確

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5.問答題簡述RTP在集成電路制造中的常見應用。

參考答案：1）雜質(zhì)的快速熱激活RTP工藝最具吸引力的的熱點之一是晶圓片不用達到熱平衡狀態(tài)，意味著電活性的有效摻雜實際上可以超過固溶...

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6.判斷題光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）

參考答案：正確

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7.填空題如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

參考答案：不合格

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8 半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結溫下工作。

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9.問答題簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。

參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進行的，由于反應速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的...

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10.問答題什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標準高斯分布有什么區(qū)別？

參考答案：非對稱性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負值表明雜質(zhì)分布在表面一側的濃度增加，即x＜R...

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