半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.05.12)

問答題
分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。
答案：
多項(xiàng)選擇題
下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。
A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）
B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（Al）
C.砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（TE）
D.砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂
填空題
芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。
答案：剪切強(qiáng)度
判斷題
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）
答案：正確
問答題
簡(jiǎn)述RTP在集成電路制造中的常見應(yīng)用。
答案：1）雜質(zhì)的快速熱激活RTP工藝最具吸引力的的熱點(diǎn)之一是晶圓片不用達(dá)到熱平衡狀態(tài)，意味著電活性的有效摻雜實(shí)際上可以超過固溶...
判斷題
光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）
答案：正確
填空題
如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長(zhǎng)度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。
答案：不合格
單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。
A.熱阻
B.阻抗
C.結(jié)構(gòu)參數(shù)
問答題
簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。
答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的，由于反應(yīng)速率快，CVD系統(tǒng)簡(jiǎn)單，適于較厚的...
問答題
什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？
答案：非對(duì)稱性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負(fù)值表明雜質(zhì)分布在表面一側(cè)的濃度增加，即x＜R...

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半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.05.12)

分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。

芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

簡(jiǎn)述RTP在集成電路制造中的常見應(yīng)用。

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長(zhǎng)度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。

簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。

什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.05.12)

分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。

芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

簡(jiǎn)述RTP在集成電路制造中的常見應(yīng)用。

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長(zhǎng)度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。

簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。

什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

簡(jiǎn)述RTP在集成電路制造中的常見應(yīng)用。

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長(zhǎng)度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。

簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。

什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？